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凯发k8官网登录vip|濑户朝香|基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其
2025-10-27 07:02:22
天眼查显示◈✿◈★,深圳基本半导体有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布濑户朝香◈✿◈★,申请公布日为2024年11月29日◈✿◈★,申请公布号为CN119049972A◈✿◈★。
本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法天生赢家凯发k8国际◈✿◈★,◈✿◈★,该方法包括◈✿◈★:获取N型碳化硅衬底凯发k8官网登录vip晶片智造◈✿◈★,◈✿◈★,并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层凯发k8国际◈✿◈★,◈✿◈★,在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层◈✿◈★;N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质濑户朝香濑户朝香凯发K8天生赢家一触即发官网k8凯发国际官方入口◈✿◈★。◈✿◈★,以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域◈✿◈★;在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽◈✿◈★;在沟槽内濑户朝香凯发k8官网登录vip凯发·k8(国际)◈✿◈★。人工智能◈✿◈★,由外向内依次生成第一栅极氧化层濑户朝香凯发k8官网登录vip◈✿◈★、多晶硅层和屏蔽栅◈✿◈★;在多晶硅层上形成金属链接孔◈✿◈★;在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层◈✿◈★,以覆盖沟槽开口◈✿◈★;在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层濑户朝香濑户朝香◈✿◈★。利用本发明公开的方法濑户朝香◈✿◈★,可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题凯发k8官网登录vip◈✿◈★。
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