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2025-11-20 23:56:51
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本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法梅宫k8凯发·(中国区)天生赢家一触即发k8凯发·(中国区)天生赢家一触即发◈★★★,该方法包括◈★★★:获取N型碳化硅衬底k8凯发·(中国区)天生赢家一触即发◈★★★,并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层◈★★★,在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层◈★★★;N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质梅宫◈★★★,以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域◈★★★;在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽◈★★★;在沟槽内◈★★★,由外向内依次生成第一栅极氧化层◈★★★、多晶硅层和屏蔽栅◈★★★;在多晶硅层上形成金属链接孔◈★★★;在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层梅宫梅宫◈★★★,以覆盖沟槽开口◈★★★;在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层梅宫k8凯发·(中国区)天生赢家一触即发◈★★★。利用本发明公开的方法◈★★★,可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题◈★★★。
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