K8天生赢家一触发第三代半导体SiC动态涌现！|仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨

2025-10-27 07:02:37

　　凯发k8·[中国]官方网站k8凯发天生赢家一触即发ღ◈，人工智能ღ◈，凯发国际ღ◈，凯发k8国际官网ღ◈，凯发k8国际ღ◈，近日ღ◈，化合物半导体动态频频ღ◈，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布ღ◈，并将于今年年末开始实施ღ◈。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备ღ◈，多家碳化硅企业完成新一轮融资ღ◈，多个碳化硅项目迎来最新进展ღ◈。

　　根据全国标准信息公共服务平台官网消息ღ◈，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式对外发布ღ◈，并将于2024年11月1日开始实施仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨ღ◈。该标准的起草单位囊括了业内多家具备8英寸碳化硅技术的企业ღ◈，包括天岳先进ღ◈、烁科晶体ღ◈、天科合达ღ◈、科友半导体ღ◈、乾晶半导体ღ◈、湖南三安半导体等ღ◈。

　　对于国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意义ღ◈，2023年11月30日ღ◈，中国电科指出ღ◈，《碳化硅外延片》国家标准确定了碳化硅外延片的质量技术细节ღ◈，规范和统一了具体的技术性能项目和指标ღ◈。该标准及时填补了国内半导体材料领域产品标准的空白ღ◈，对碳化硅外延片生产工艺ღ◈、质量控制ღ◈、采购及销售管理都有重要的指导作用ღ◈。

　　近日ღ◈，晶升股份液相法SiC晶体生长设备研究取得新进展K8天生赢家一触发ღ◈，已成功研发出液相法SiC晶体生长设备并提供给了多家客户ღ◈，将会继续配合客户不断进行设备的优化和改进工作ღ◈。

　　目前ღ◈， PVT生长工艺是国内厂商生长SiC晶体的主流方法ღ◈，液相法生长技术则处于研究和开发阶段ღ◈。关于液相法SiC晶体生长设备ღ◈，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户ღ◈，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进ღ◈，进一步提升晶体的品质与良率ღ◈。

　　此前ღ◈，晶升股份8英寸SiC长晶设备已实现批量出货,其中包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉ღ◈、TSSG单晶炉等类别产品ღ◈，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型SiC晶体生长及衬底制备仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨ღ◈。

　　2023年ღ◈，晶升股份业绩表现良好ღ◈，实现营收4.06亿元ღ◈，同比增长82.70%ღ◈；归母净利润0.71亿元ღ◈，同比增长105.63%ღ◈；归母扣非净利润0.42亿元ღ◈，同比增长86.64%ღ◈。

　　5月8日ღ◈，北一半导体官微宣布ღ◈，他们成功完成了B+轮融资ღ◈。目前由上海吾同私募基金管理有限公司领投的1亿元资金已经到位ღ◈，另有5000万元投资金额在结尾工作中ღ◈，预计本轮融资总额将达到1.5亿元ღ◈。

　　消息显示ღ◈，该轮融资资金主要用于北一半导体SiC MOSFET技术的进一步研发ღ◈，以及产线的升级与扩建ღ◈。一方面K8天生赢家一触发ღ◈，通过加大研发投入ღ◈，加快技术创新的步伐ღ◈，提升SiC MOS的性能指标和生产效率ღ◈；另一方面K8天生赢家一触发ღ◈，通过产线的升级与扩建ღ◈，提高生产规模ღ◈，满足市场需求ღ◈，推动SiC MOS的产业化进程ღ◈。

　　天眼查显示K8天生赢家一触发ღ◈，北一半导体成立于2017年ღ◈，专注于Si基ღ◈、SiC基功率半导体芯片及模块研发ღ◈、模块生产ღ◈、销售ღ◈。此前ღ◈，北一半导体已完成两轮融资K8天生赢家一触发ღ◈，其中B轮融资金额也超1.5亿元ღ◈，融资资金主要用于加速公司产线扩建ღ◈、产品研发ღ◈、团队扩建以及市场拓展等ღ◈。

　　据悉ღ◈，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产ღ◈。昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家ღ◈，产品可广泛应用于光伏储能ღ◈、新能源汽车ღ◈、工业控制等领域ღ◈。

　　昕感科技官方消息指出ღ◈，公司是国内为数不多可进行6英寸晶圆特色工艺生产的IDM厂商ღ◈。昕感科技已在650VK8天生赢家一触发ღ◈、1200VK8天生赢家一触发ღ◈、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产ღ◈，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证ღ◈。其中ღ◈，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩღ◈、40mΩღ◈、21mΩღ◈、13mΩღ◈、7mΩ等导通电阻规格ღ◈，模块产品对标EasyPACKღ◈、62mmღ◈、EconoDUAL等封装形式ღ◈。

　　今年1月30日ღ◈，昕感科技6英寸功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区举行ღ◈。该项目自2023年8月8日启动ღ◈，总计投资超10亿元ღ◈。据人民网4月29日报道ღ◈，江苏昕感科技有限责任公司6英寸功率半导体制造基地近日进入采购设备和调试阶段ღ◈。这片厂房的主体结构已于今年初全面封顶ღ◈，计划年底前正式投产ღ◈。

　　5月12日ღ◈，季华恒一（佛山）半导体科技有限公司宣布ღ◈，他们于近日完成了A轮融资ღ◈。本次投资由优山资本领投ღ◈，季华璀璨（佛山）投资有限公司跟投ღ◈。

　　公开资料显示ღ◈，季华恒一脱胎国内知名的科研机构季华实验室ღ◈，成立于2021年6月ღ◈，公司专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化ღ◈，着力于开发满足高良率ღ◈、稳定生产需求的SiC高温外延生长系统等等ღ◈。

　　值得一提的是仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨ღ◈，去年5月ღ◈，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户ღ◈，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺ღ◈；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单ღ◈。

　　据中国光谷5月10日消息ღ◈，日前ღ◈，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶ღ◈。这标志着ღ◈，该项目进入投产倒计时ღ◈，预计于今年6月全面封顶ღ◈，明年7月投产ღ◈。

　　消息称ღ◈，长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区ღ◈，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设ღ◈，总投资预计超过200亿元ღ◈。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产ღ◈，应用范围广泛覆盖新能源汽车ღ◈、光伏储能ღ◈、充电桩ღ◈、电力电网等领域ღ◈，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造标杆工厂ღ◈。项目建成后ღ◈，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地ღ◈。

　　该项目由中建一局承建ღ◈，占地面积约22.94万平方米ღ◈，建筑面积约30.15万平方米ღ◈，主要建设内容包括芯片厂房ღ◈、封装厂房ღ◈、外延厂房ღ◈、动力厂房ღ◈、成品库ღ◈、综合办公楼ღ◈、员工宿舍以及生产配套用房设施等ღ◈，建设周期为578日历天ღ◈。项目达产后ღ◈，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延ღ◈、6100万个功率器件模块ღ◈。

　　相关负责人表示ღ◈，后续重要工作将是吊顶完成ღ◈，各系统的追位ღ◈、调试ღ◈，以及生产辅助用房建设和地面硬化等ღ◈，力保6月前完成调试ღ◈，6月3日顺利竣工交付ღ◈。

　　金龙湖发布消息显示ღ◈，天科合达二期项目作为省级重大产业项目ღ◈，总投资8.3亿元ღ◈，建筑面积约5万平方米ღ◈，包括标准化厂房ღ◈、危化库ღ◈、固体库等设施ღ◈。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套）ღ◈，新建碳化硅晶片衬底制备生产线ღ◈，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片ღ◈。此次二期扩产项目投产后ღ◈，天科合达徐州基地碳化硅晶片年产能将达到23万片ღ◈、年产值10亿元以上ღ◈。

　　资料显示ღ◈，江苏天科合达是北京天科合达全资子公司ღ◈。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发ღ◈、生产和销售的国家级高新技术企业ღ◈。

　　5月9日ღ◈，据湖南三安半导体消息ღ◈，湖南三安半导体董事长林志东近日作为中国半导体企业代表应邀参加了中法企业家委员会第六次会议ღ◈。

　　在法期间ღ◈，林志东介绍了湖南三安SiC项目最新进展ღ◈。据介绍ღ◈，位于湖南湘江新区的湖南三安半导体责任有限公司ღ◈，2020年落户长沙ღ◈，仅用一年时间就点火试产ღ◈。目前ღ◈，一期已经全线投产ღ◈，目前SiC年产能已达到25万片（6英寸）ღ◈。二期正在建设中ღ◈，将全部导入8英寸生产设备和工艺ღ◈，计划今年三季度投产ღ◈。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模ღ◈。

　　据悉ღ◈，该项目作为国内首个ღ◈、世界第三个SiC全产业链整合研发与制造项目K8天生赢家一触发ღ◈，总投资160亿元ღ◈，规划用地面积约1000亩ღ◈，主要建设具有自主知识产权ღ◈，以SiCღ◈、GaN等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地ღ◈，业务涵盖衬底材料ღ◈、外延生长ღ◈、晶圆制造及封装测试等环节ღ◈。该项目一期于2020年7月破土动工ღ◈，2021年6月23日正式投产ღ◈，并于同年11月量产下线SiC SBD全系列产品ღ◈。2022年7月ღ◈，该项目二期工程开工ღ◈。

　　产品方面ღ◈，湖南三安的SiC系列产品主要面向工业级和车规级应用ღ◈。目前ღ◈，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品ღ◈，已广泛应用于光伏逆变器ღ◈、充电桩ღ◈、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货ღ◈，累计出货量超2亿颗ღ◈；SiC MOSFET方面ღ◈，湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品ღ◈，目前正在数家战略客户进行模块验证ღ◈；湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFETღ◈，已在重点客户批量导入ღ◈。

　　此外ღ◈，湖南三安今年4月在第十八届北京国际车展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFETღ◈，这款产品是湖南三安目前1200V电压平台最小导通电阻ღ◈、最大额定电流产品ღ◈。

　　合作方面ღ◈，湖南三安与维谛技术于3月28日宣布达成战略合作伙伴关系ღ◈，双方将共同推动数据中心ღ◈、通信网络等领域的创新与发展仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨ღ◈。基于此ღ◈，湖南三安SiC业务有望向数据中心ღ◈、通信等领域加速渗透ღ◈。

　　近日ღ◈，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产ღ◈，产品纯度最高达到99.99999%ღ◈，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证ღ◈。

　　资料显示ღ◈，中宜创芯成立于2023年5月24日ღ◈，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立ღ◈，总投资20亿元ღ◈，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线月20日开工建设ღ◈，9月20日项目建成并试生产ღ◈，9月30日首批产品出炉仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨ღ◈。预计达产后年产值5亿元ღ◈，

　　据悉ღ◈，2023年国庆期间ღ◈，经权威机构检测仙踪林19岁RAPPER潮水偷轨ღ◈，中宜创芯首炉SiC粉体产品纯度为99.99996%ღ◈，达到国内优等品标准ღ◈。10月17日该项目一期试生产结束ღ◈，第一批设备全部投料完成ღ◈，标志着中宜创芯SiC粉体开始进入批量生产阶段ღ◈。历时三个月ღ◈，该项目一期从开工进入到试生产阶段ღ◈，再经过半年时间ღ◈，项目又完成从试产到达产转变ღ◈，在建设进度方面进展较快ღ◈。与此同时ღ◈，SiC粉体产品纯度不断提升ღ◈，已由99.99996%进一步提高到99.99999%ღ◈。

　　目前ღ◈，中宜创芯SiC粉体产品正在被国内多家企业和研究机构试用和验证ღ◈，在一定程度上显示了该产品市场认可度较高ღ◈，也为中宜创芯SiC粉体后续扩产项目顺利进行起到了一定的推动作用ღ◈。

　　此外ღ◈，技术研发方面ღ◈，中宜创芯已与浙江大学杭州国际科创中心签订合作框架协议发挥双方优势ღ◈，共同开展碳化硅半导体粉体行业标准制定ღ◈、科技创新ღ◈、成果转化ღ◈、平台建设ღ◈、人才培养等方面的合作ღ◈，努力创造出更多成果ღ◈。

　　在电动汽车ღ◈、可再生能源和工业自动化等应用的推动下ღ◈，碳化硅的市场需求量不断增加ღ◈。而在碳化硅的主要成本中ღ◈，衬底环节成本大于外延环节和制备环节等ღ◈。从成本与市场的角度来看ღ◈，碳化硅衬底成本降低40%ღ◈，碳化硅市场规模将提升4倍ღ◈。从供给与需求侧来看ღ◈，2025年全球衬底需求量将超过300W片ღ◈，而2022年全球碳化硅衬底产能仅为60~80万片ღ◈，产能缺口达5倍左右ღ◈，国内外企业等纷纷着力扩产ღ◈。

　　近日ღ◈，江西罡丰科技有限公司公示了其年产40万片第三代半导体衬底外延建设项目（一期）的相关内容ღ◈，该项目的主要建设内容包括碳化硅半导体衬底生产线的建设以及相关配套厂房设施的完善ღ◈。项目一期工程预计建成后将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的能力ღ◈。

　　江西罡丰科技有限公司表示ღ◈，此次投资是为了满足市场对高性能半导体衬底材料的需求ღ◈，同时也将推动公司在半导体领域的技术创新和产业升级ღ◈。该项目的实施ღ◈，不仅将提升公司的核心竞争力ღ◈，还将为我国的半导体产业发展注入新的活力ღ◈。

　　5月9日ღ◈，“南太湖发布”官微披露ღ◈，浙江湖州南太湖新区管理委员会和安徽源芯微电子有限责任公司（以下简称源芯微电子）举行源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约仪式ღ◈。

　　据悉ღ◈，此次签约落地的年产20亿只车规级芯片智造基地和SiC车规级芯片研究院项目总投资10亿元ღ◈，分两期建设ღ◈，全部达产后年产值约18亿元ღ◈。

　　源芯微电子从事高端半导体芯片设计研发ღ◈、封装测试ღ◈、成品销售ღ◈，其主要产品是半导体集成电路芯片ღ◈，广泛应用于家电ღ◈、PC/手机平板ღ◈、无线快充ღ◈、移动电源充电桩ღ◈、智能家居ღ◈、穿戴设备ღ◈、绿色照明ღ◈、健康医疗等行业及新能源等领域ღ◈。

　　近年来ღ◈，源芯微电子持续加大功率半导体产业布局ღ◈。2021年12月ღ◈，芜湖高新区（弋江区）举行重大项目集中签约ღ◈、开工活动ღ◈，其中就包括源芯微电子先进功率半导体基地项目ღ◈。

　　据报道ღ◈，源芯微电子先进功率半导体基地项目总投资10亿元ღ◈，专注于半导体功率器件设计ღ◈、生产与销售ღ◈。项目达产后年产能将达到100亿只功率器件ღ◈、IC芯片ღ◈。