凯发K8旗舰厅|成人台直播|第三代半导体SiC动态涌现！

2025-12-17 06:58:18

　　近日ღღ✿，化合物半导体动态频频ღღ✿，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式对外发布ღღ✿，并将于今年年末开始实施ღღ✿。另外晶升股份研发出液相法碳化硅晶体生长设备ღღ✿，多家碳化硅企业完成新一轮融资ღღ✿，多个碳化硅项目迎来最新进展ღღ✿。

　　根据全国标准信息公共服务平台官网消息ღღ✿，国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式对外发布ღღ✿，并将于2024年11月1日开始实施ღღ✿。该标准的起草单位囊括了业内多家具备8英寸碳化硅技术的企业ღღ✿，包括天岳先进ღღ✿、烁科晶体ღღ✿、天科合达ღღ✿、科友半导体ღღ✿、乾晶半导体ღღ✿、湖南三安半导体等ღღ✿。

　　对于国家标准GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意义ღღ✿，2023年11月30日ღღ✿，中国电科指出ღღ✿，《碳化硅外延片》国家标准确定了碳化硅外延片的质量技术细节ღღ✿，规范和统一了具体的技术性能项目和指标ღღ✿。该标准及时填补了国内半导体材料领域产品标准的空白ღღ✿，对碳化硅外延片生产工艺ღღ✿、质量控制ღღ✿、采购及销售管理都有重要的指导作用ღღ✿。

　　近日ღღ✿，晶升股份液相法SiC晶体生长设备研究取得新进展成人台直播ღღ✿，已成功研发出液相法SiC晶体生长设备并提供给了多家客户ღღ✿，将会继续配合客户不断进行设备的优化和改进工作ღღ✿。

　　目前ღღ✿， PVT生长工艺是国内厂商生长SiC晶体的主流方法ღღ✿，液相法生长技术则处于研究和开发阶段ღღ✿。关于液相法SiC晶体生长设备ღღ✿，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户ღღ✿，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进ღღ✿，进一步提升晶体的品质与良率ღღ✿。

　　此前凯发K8旗舰厅ღღ✿，晶升股份8英寸SiC长晶设备已实现批量出货,其中包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉ღღ✿、TSSG单晶炉等类别产品ღღ✿，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型SiC晶体生长及衬底制备ღღ✿。

　　2023年ღღ✿，晶升股份业绩表现良好ღღ✿，实现营收4.06亿元ღღ✿，同比增长82.70%ღღ✿；归母净利润0.71亿元ღღ✿，同比增长105.63%ღღ✿；归母扣非净利润0.42亿元ღღ✿，同比增长86.64%ღღ✿。

　　5月8日ღღ✿，北一半导体官微宣布ღღ✿，他们成功完成了B+轮融资ღღ✿。目前由上海吾同私募基金管理有限公司领投的1亿元资金已经到位ღღ✿，另有5000万元投资金额在结尾工作中ღღ✿，预计本轮融资总额将达到1.5亿元ღღ✿。

　　消息显示ღღ✿，该轮融资资金主要用于北一半导体SiC MOSFET技术的进一步研发ღღ✿，以及产线的升级与扩建ღღ✿。一方面ღღ✿，通过加大研发投入ღღ✿，加快技术创新的步伐ღღ✿，提升SiC MOS的性能指标和生产效率ღღ✿；另一方面ღღ✿，通过产线的升级与扩建凯发K8旗舰厅ღღ✿，提高生产规模ღღ✿，满足市场需求ღღ✿，推动SiC MOS的产业化进程ღღ✿。

　　天眼查显示ღღ✿，北一半导体成立于2017年ღღ✿，专注于Si基ღღ✿、SiC基功率半导体芯片及模块研发ღღ✿、模块生产ღღ✿、销售ღღ✿。此前ღღ✿，北一半导体已完成两轮融资ღღ✿，其中B轮融资金额也超1.5亿元ღღ✿，融资资金主要用于加速公司产线扩建ღღ✿、产品研发ღღ✿、团队扩建以及市场拓展等ღღ✿。

　　据悉ღღ✿，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产ღღ✿。昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家ღღ✿，产品可广泛应用于光伏储能ღღ✿、新能源汽车凯发K8旗舰厅ღღ✿、工业控制等领域ღღ✿。

　　昕感科技官方消息指出ღღ✿，公司是国内为数不多可进行6英寸晶圆特色工艺生产的IDM厂商ღღ✿。昕感科技已在650Vღღ✿、1200V成人台直播ღღ✿、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产ღღ✿，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证ღღ✿。其中ღღ✿，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩღღ✿、40mΩღღ✿、21mΩღღ✿、13mΩღღ✿、7mΩ等导通电阻规格ღღ✿，模块产品对标EasyPACKღღ✿、62mmღღ✿、EconoDUAL等封装形式ღღ✿。

　　今年1月30日ღღ✿，昕感科技6英寸功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区举行ღღ✿。该项目自2023年8月8日启动ღღ✿，总计投资超10亿元ღღ✿。据人民网4月29日报道ღღ✿，江苏昕感科技有限责任公司6英寸功率半导体制造基地近日进入采购设备和调试阶段ღღ✿。这片厂房的主体结构已于今年初全面封顶ღღ✿，计划年底前正式投产ღღ✿。

　　5月12日ღღ✿，季华恒一（佛山）半导体科技有限公司宣布ღღ✿，他们于近日完成了A轮融资ღღ✿。本次投资由优山资本领投ღღ✿，季华璀璨（佛山）投资有限公司跟投ღღ✿。

　　公开资料显示ღღ✿，季华恒一脱胎国内知名的科研机构季华实验室ღღ✿，成立于2021年6月ღღ✿，公司专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化ღღ✿，着力于开发满足高良率ღღ✿、稳定生产需求的SiC高温外延生长系统等等ღღ✿。

　　值得一提的是ღღ✿，去年5月ღღ✿，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户ღღ✿，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺ღღ✿；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单ღღ✿。

　　据中国光谷5月10日消息ღღ✿，日前ღღ✿，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶ღღ✿。这标志着ღღ✿，该项目进入投产倒计时ღღ✿，预计于今年6月全面封顶ღღ✿，明年7月投产ღღ✿。

　　消息称ღღ✿，长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区ღღ✿，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设ღღ✿，总投资预计超过200亿元ღღ✿。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产ღღ✿，应用范围广泛覆盖新能源汽车ღღ✿、光伏储能ღღ✿、充电桩ღღ✿、电力电网等领域ღღ✿，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造标杆工厂ღღ✿。项目建成后ღღ✿，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地ღღ✿。

　　该项目由中建一局承建ღღ✿，占地面积约22.94万平方米ღღ✿，建筑面积约30.15万平方米ღღ✿，主要建设内容包括芯片厂房ღღ✿、封装厂房ღღ✿、外延厂房ღღ✿、动力厂房ღღ✿、成品库ღღ✿、综合办公楼ღღ✿、员工宿舍以及生产配套用房设施等ღღ✿，建设周期为578日历天ღღ✿。项目达产后ღღ✿，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延ღღ✿、6100万个功率器件模块ღღ✿。

　　相关负责人表示ღღ✿，后续重要工作将是吊顶完成ღღ✿，各系统的追位ღღ✿、调试ღღ✿，以及生产辅助用房建设和地面硬化等ღღ✿，力保6月前完成调试ღღ✿，6月3日顺利竣工交付ღღ✿。

　　金龙湖发布消息显示ღღ✿，天科合达二期项目作为省级重大产业项目ღღ✿，总投资8.3亿元ღღ✿，建筑面积约5万平方米ღღ✿，包括标准化厂房ღღ✿、危化库ღღ✿、固体库等设施ღღ✿。计划购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套）ღღ✿，新建碳化硅晶片衬底制备生产线ღღ✿，达产后可实现年产碳化硅衬底16万片ღღ✿。此次二期扩产项目投产后ღღ✿，天科合达徐州基地碳化硅晶片年产能将达到23万片ღღ✿、年产值10亿元以上ღღ✿。

　　资料显示ღღ✿，江苏天科合达是北京天科合达全资子公司ღღ✿。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发ღღ✿、生产和销售的国家级高新技术企业ღღ✿。

　　5月9日ღღ✿，据湖南三安半导体消息ღღ✿，湖南三安半导体董事长林志东近日作为中国半导体企业代表应邀参加了中法企业家委员会第六次会议ღღ✿。

　　在法期间ღღ✿，林志东介绍了湖南三安SiC项目最新进展ღღ✿。据介绍ღღ✿，位于湖南湘江新区的湖南三安半导体责任有限公司ღღ✿，2020年落户长沙ღღ✿，仅用一年时间就点火试产ღღ✿。目前ღღ✿，一期已经全线投产ღღ✿，目前SiC年产能已达到25万片（6英寸）ღღ✿。二期正在建设中ღღ✿，将全部导入8英寸生产设备和工艺ღღ✿，计划今年三季度投产ღღ✿。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模ღღ✿。

　　据悉ღღ✿，该项目作为国内首个ღღ✿、世界第三个SiC全产业链整合研发与制造项目ღღ✿，总投资160亿元ღღ✿，规划用地面积约1000亩ღღ✿，主要建设具有自主知识产权ღღ✿，以SiCღღ✿、GaN等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地ღღ✿，业务涵盖衬底材料ღღ✿、外延生长ღღ✿、晶圆制造及封装测试等环节ღღ✿。该项目一期于2020年7月破土动工ღღ✿，2021年6月23日正式投产ღღ✿，并于同年11月量产下线SiC SBD全系列产品ღღ✿。2022年7月ღღ✿，该项目二期工程开工ღღ✿。

　　产品方面ღღ✿，湖南三安的SiC系列产品主要面向工业级和车规级应用ღღ✿。目前ღღ✿，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品ღღ✿，已广泛应用于光伏逆变器ღღ✿、充电桩ღღ✿、电源以及新能源汽车等领域并形成批量出货ღღ✿，累计出货量超2亿颗ღღ✿；SiC MOSFET方面ღღ✿，湖南三安已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品ღღ✿，目前正在数家战略客户进行模块验证ღღ✿；湖南三安还推出了针对光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFETღღ✿，已在重点客户批量导入ღღ✿。

　　此外ღღ✿，湖南三安今年4月在第十八届北京国际车展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFETღღ✿，这款产品是湖南三安目前1200V电压平台最小导通电阻ღღ✿、最大额定电流产品ღღ✿。

　　合作方面ღღ✿，湖南三安与维谛技术于3月28日宣布达成战略合作伙伴关系ღღ✿，双方将共同推动数据中心ღღ✿、通信网络等领域的创新与发展ღღ✿。基于此ღღ✿，湖南三安SiC业务有望向数据中心ღღ✿、通信等领域加速渗透ღღ✿。

　　近日ღღ✿，河南中宜创芯发展有限公司（以下简称“中宜创芯”）SiC半导体粉体500吨生产线成功达产凯发K8旗舰厅ღღ✿，产品纯度最高达到99.99999%ღღ✿，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证ღღ✿。

　　资料显示ღღ✿，中宜创芯成立于2023年5月24日ღღ✿，由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团共同出资设立ღღ✿，总投资20亿元ღღ✿，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体生产线月20日开工建设ღღ✿，9月20日项目建成并试生产ღღ✿，9月30日首批产品出炉ღღ✿。预计达产后年产值5亿元ღღ✿，

　　据悉ღღ✿，2023年国庆期间ღღ✿，经权威机构检测凯发K8旗舰厅ღღ✿，中宜创芯首炉SiC粉体产品纯度为99.99996%ღღ✿，达到国内优等品标准ღღ✿。10月17日该项目一期试生产结束ღღ✿，第一批设备全部投料完成ღღ✿，标志着中宜创芯SiC粉体开始进入批量生产阶段ღღ✿。历时三个月ღღ✿，该项目一期从开工进入到试生产阶段ღღ✿，再经过半年时间ღღ✿，项目又完成从试产到达产转变ღღ✿，在建设进度方面进展较快ღღ✿。与此同时ღღ✿，SiC粉体产品纯度不断提升ღღ✿，已由99.99996%进一步提高到99.99999%ღღ✿。

　　目前ღღ✿，中宜创芯SiC粉体产品正在被国内多家企业和研究机构试用和验证ღღ✿，在一定程度上显示了该产品市场认可度较高ღღ✿，也为中宜创芯SiC粉体后续扩产项目顺利进行起到了一定的推动作用ღღ✿。

　　此外ღღ✿，技术研发方面ღღ✿，中宜创芯已与浙江大学杭州国际科创中心签订合作框架协议发挥双方优势ღღ✿，共同开展碳化硅半导体粉体行业标准制定ღღ✿、科技创新ღღ✿、成果转化ღღ✿、平台建设成人台直播ღღ✿、人才培养等方面的合作ღღ✿，努力创造出更多成果ღღ✿。

　　在电动汽车ღღ✿、可再生能源和工业自动化等应用的推动下ღღ✿，碳化硅的市场需求量不断增加凯发K8旗舰厅ღღ✿。而在碳化硅的主要成本中ღღ✿，衬底环节成本大于外延环节和制备环节等凯发K8旗舰厅ღღ✿。从成本与市场的角度来看ღღ✿，碳化硅衬底成本降低40%ღღ✿，碳化硅市场规模将提升4倍ღღ✿。从供给与需求侧来看ღღ✿，2025年全球衬底需求量将超过300W片ღღ✿，而2022年全球碳化硅衬底产能仅为60~80万片ღღ✿，产能缺口达5倍左右ღღ✿，国内外企业等纷纷着力扩产ღღ✿。

　　近日ღღ✿，江西罡丰科技有限公司公示了其年产40万片第三代半导体衬底外延建设项目（一期）的相关内容ღღ✿，该项目的主要建设内容包括碳化硅半导体衬底生产线的建设以及相关配套厂房设施的完善ღღ✿。项目一期工程预计建成后将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的能力ღღ✿。

　　江西罡丰科技有限公司表示ღღ✿，此次投资是为了满足市场对高性能半导体衬底材料的需求ღღ✿，同时也将推动公司在半导体领域的技术创新和产业升级ღღ✿。该项目的实施ღღ✿，不仅将提升公司的核心竞争力ღღ✿，还将为我国的半导体产业发展注入新的活力ღღ✿。

　　5月9日ღღ✿，“南太湖发布”官微披露成人台直播ღღ✿，浙江湖州南太湖新区管理委员会和安徽源芯微电子有限责任公司（以下简称源芯微电子）举行源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约仪式ღღ✿。

　　据悉ღღ✿，此次签约落地的年产20亿只车规级芯片智造基地和SiC车规级芯片研究院项目总投资10亿元ღღ✿，分两期建设ღღ✿，全部达产后年产值约18亿元ღღ✿。

　　源芯微电子从事高端半导体芯片设计研发ღღ✿、封装测试ღღ✿、成品销售ღღ✿，其主要产品是半导体集成电路芯片ღღ✿，广泛应用于家电ღღ✿、PC/手机平板ღღ✿、无线快充ღღ✿、移动电源充电桩ღღ✿、智能家居成人台直播ღღ✿、穿戴设备ღღ✿、绿色照明ღღ✿、健康医疗等行业及新能源等领域ღღ✿。

　　近年来ღღ✿，源芯微电子持续加大功率半导体产业布局成人台直播ღღ✿。2021年12月ღღ✿，芜湖高新区（弋江区）举行重大项目集中签约ღღ✿、开工活动ღღ✿，其中就包括源芯微电子先进功率半导体基地项目ღღ✿。

　　据报道ღღ✿，源芯微电子先进功率半导体基地项目总投资10亿元ღღ✿，专注于半导体功率器件设计ღღ✿、生产与销售ღღ✿。项目达产后年产能将达到100亿只功率器件ღღ✿、IC芯片ღღ✿。凯发k8官网登录vipღღ✿！晶片智造ღღ✿，凯发在线平台ღღ✿，凯发k8天生赢家一触即发ღღ✿，k8凯发ღღ✿，凯发k8官网登录ღღ✿，