凯发·k8(国际) - 官方网站

关于凯发k8国际 产品中心 电子元件 机器人应用 主机板设计 晶片设计 半导体 新闻动态 公司动态 行业资讯 凯发国际官网 荣誉资质 技术支持 联系我们 凯发·k8(国际) - 官方网站
全国统一热线:

400-123-4657

banner图
产品中心

PRDUCTS

产品中心PRDUCTS

技术支持RECRUITMENT

    技术支持分售前技术支持和售后技术支持,售前技术支持是指在销售遇到无法解答的产品问题时,售前技术支持给予帮助;售后技术支持是指产品公司为其产品用户提供的售后服务的一种形式,帮助用户诊断并解决其在使用产品...
点击查看更多
晶片设计

当前位置: 首页 > 产品中心 > 晶片设计

凯发k8基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公|天空宝典

2025-12-17 06:58:00

  天眼查显示✿ღ◈ღ,深圳基本半导体有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布天空宝典✿ღ◈ღ,申请公布日为2024年11月29日天空宝典天空宝典凯发k8凯发k8✿ღ◈ღ,申请公布号为CN119049972A天空宝典✿ღ◈ღ。

  本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法✿ღ◈ღ,该方法包括✿ღ◈ღ:获取N型碳化硅衬底天空宝典✿ღ◈ღ,并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层✿ღ◈ღ,在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层✿ღ◈ღ;N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质天空宝典凯发k8✿ღ◈ღ,以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域✿ღ◈ღ;在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽✿ღ◈ღ;在沟槽内✿ღ◈ღ,由外向内依次生成第一栅极氧化层✿ღ◈ღ、多晶硅层和屏蔽栅✿ღ◈ღ;在多晶硅层上形成金属链接孔✿ღ◈ღ;在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层天空宝典✿ღ◈ღ,以覆盖沟槽开口✿ღ◈ღ;在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层✿ღ◈ღ。利用本发明公开的方法凯发k8✿ღ◈ღ,可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题天空宝典凯发k8✿ღ◈ღ。

  【头条】芯片大厂CEO,拟遭罢免✿ღ◈ღ!英特尔1.8nm芯片即将投产✿ღ◈ღ;半导体设备行业又一收购✿ღ◈ღ;英伟达GTC大会明日举行

  【研究】电子科技大学自动化工程学院本科生在TOP期刊INS上发表研究成果✿ღ◈ღ;大连理工大学信息与通信工程学院科研团队在智能通感一体化前沿方面取得突破✿ღ◈ღ;清华大学赵雪冰课题组研发木质素为碳基催化剂前体和电子供体的过氧化氢电化学合成新技术

  【融资】国产高性能芯片厂商获新融资✿ღ◈ღ;伟时电子2024归母净利大幅下降52.56%✿ღ◈ღ;腾景科技拟收购迅特通信100%股份

  【算力】深南电路:PCB业务因算力等需求延续,产能利用率仍保持高位运行✿ღ◈ღ;信维通信:商业卫星应用已切入北美客户,下半年供货✿ღ◈ღ;汉朔科技:机器人产品仍研发中,未产生销售收入晶片智造✿ღ◈ღ,凯发k8✿ღ◈ღ,凯发k8国际官方网站✿ღ◈ღ,凯发在线平台✿ღ◈ღ,凯发k8国际(中国)官方网站·一触即发✿ღ◈ღ,半导体✿ღ◈ღ,

全国统一热线

400-123-4657
+地址:广东省广州市天河区88号
+传真:+86-123-4567
+邮箱:admin@youweb.com
微信平台

微信平台

手机官网

手机官网

凯发国际官网 | 凯发国际官网 | 凯发国际官网 | 凯发国际官网 | 凯发国际官网 | 网站地图 | 网站地图_m |