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凯发k8基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公|天空宝典
2025-12-17 06:58:00
天眼查显示✿ღ◈ღ,深圳基本半导体有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布天空宝典✿ღ◈ღ,申请公布日为2024年11月29日天空宝典天空宝典凯发k8凯发k8✿ღ◈ღ,申请公布号为CN119049972A天空宝典✿ღ◈ღ。
本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法✿ღ◈ღ,该方法包括✿ღ◈ღ:获取N型碳化硅衬底天空宝典✿ღ◈ღ,并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层✿ღ◈ღ,在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层✿ღ◈ღ;N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质天空宝典凯发k8✿ღ◈ღ,以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域✿ღ◈ღ;在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽✿ღ◈ღ;在沟槽内✿ღ◈ღ,由外向内依次生成第一栅极氧化层✿ღ◈ღ、多晶硅层和屏蔽栅✿ღ◈ღ;在多晶硅层上形成金属链接孔✿ღ◈ღ;在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层天空宝典✿ღ◈ღ,以覆盖沟槽开口✿ღ◈ღ;在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层✿ღ◈ღ。利用本发明公开的方法凯发k8✿ღ◈ღ,可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题天空宝典凯发k8✿ღ◈ღ。
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