凯发,凯发k8,K8基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利

2025-09-25 10:25:24

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　　本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法王者荣耀伽罗吞下白色液体ღღ✿，该方法包括ღღ✿：获取N型碳化硅衬底ღღ✿，并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层ღღ✿，在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层ღღ✿；N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质凯发,凯发k8,K8凯发,凯发k8,K8凯发,凯发k8,K8ღღ✿，以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域ღღ✿；在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽ღღ✿；在沟槽内凯发,凯发k8,K8ღღ✿，由外向内依次生成第一栅极氧化层ღღ✿、多晶硅层和屏蔽栅ღღ✿；在多晶硅层上形成金属链接孔ღღ✿；在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层凯发,凯发k8,K8ღღ✿，以覆盖沟槽开口ღღ✿；在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层王者荣耀伽罗吞下白色液体ღღ✿。利用本发明公开的方法ღღ✿，可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题王者荣耀伽罗吞下白色液体ღღ✿。

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