凯发K8国际娱乐官网基本半导体“碳化硅基集成SBD和|原版澳盘|SGT器件及其制

2025-08-01 09:58:54

　　天眼查显示◈✿★✿★，深圳基本半导体有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布原版澳盘凯发K8国际娱乐官网◈✿★✿★，申请公布日为2024年11月29日凯发K8国际娱乐官网◈✿★✿★，申请公布号为CN119049972A原版澳盘◈✿★✿★。

　　本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法◈✿★✿★，该方法包括◈✿★✿★：获取N型碳化硅衬底◈✿★✿★，并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层凯发K8国际娱乐官网◈✿★✿★，在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层◈✿★✿★；N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质◈✿★✿★，以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域◈✿★✿★；在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽◈✿★✿★；在沟槽内原版澳盘原版澳盘◈✿★✿★，由外向内依次生成第一栅极氧化层◈✿★✿★、多晶硅层和屏蔽栅◈✿★✿★；在多晶硅层上形成金属链接孔◈✿★✿★；在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层◈✿★✿★，以覆盖沟槽开口◈✿★✿★；在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层凯发K8国际娱乐官网◈✿★✿★。利用本发明公开的方法凯发K8国际娱乐官网凯发K8国际娱乐官网◈✿★✿★，可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题原版澳盘◈✿★✿★。

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