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点击查看更多 凯发app手机版下载|胜者无敌|意法半导体申请用于半导体器件上的石墨烯层生长和同
2025-03-21 18:47:26
金融界 2025 年 1 月 18 日消息ღ✿,国家知识产权局信息显示ღ✿,意法半导体国际公司申请一项名为“用于半导体器件上的石墨烯层生长和同时的硅化钼形成的方法”的专利天生赢家一触即发ღ✿!k8凯发国际官方入口ღ✿,凯发k8国际官网ღ✿。k8凯发(中国)天生赢家·一触即发ღ✿!ღ✿,公开号 CN 119314859 Aღ✿,申请日期为 2024 年 7 月胜者无敌胜者无敌ღ✿。
专利摘要显示凯发app手机版下载ღ✿,本公开的实施例涉及一种用于半导体器件上的石墨烯层生长和同时的硅化钼形成的方法胜者无敌胜者无敌凯发app手机版下载人工智能ღ✿!ღ✿。提供了一种用于在半导体衬底上形成石墨烯层的方法胜者无敌凯发app手机版下载凯发app手机版下载凯发app手机版下载ღ✿、一种利用该石墨烯层形成方法的半导体二极管胜者无敌ღ✿、以及一种也利用该石墨烯层形成方法的光电子半导体器件ღ✿。一种用于在半导体衬底上设置石墨烯层的示例方法可以包括在半导体衬底的顶表面上沉积金属催化剂层并且图案化金属催化剂层k8凯发ღ✿。ღ✿,使得半导体衬底的顶表面的一个或多个部分被一个或多个金属催化剂层结构覆盖胜者无敌凯发app手机版下载ღ✿。该方法还可以包括在一个或多个金属催化剂层结构的暴露表面上促进石墨烯生长过程凯发app手机版下载凯发k8·[中国]官方网站ღ✿,ღ✿,其中石墨烯生长过程在一个或多个金属催化剂层结构的暴露表面上形成石墨烯层凯发app手机版下载ღ✿。